苏州摩尔镓芯半导体科技有限公司的重大突破2024 年 11 月 16 日，苏州摩尔镓芯半导体科技有限公司成功斩获一项名为 “准垂直结构 PIN 二极管及其制备方法” 的专利，授权公告号为 CN118315442B，该专利于 2024 年 4 月提交申请。这一成果不仅是摩尔镓芯在半导体领域探索道路上的一座新里程碑，更如同点亮了一盏明灯，为未来半导体器件的设计与制造照亮了新的发展方向。准垂直结构...

宽禁带半导体是指禁带宽度在2.3电子伏特（eV）及以上的半导体材料，典型的例子包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）和金刚石等。这些材料具有高温、高功率、高频率等优势，使其在多个领域有着广泛的应用前景。主要应用领域电力电子器件：宽禁带半导体在电力电子领域有重要应用，包括电源管理、电力控制系统、电力调节器和电力变换器等。它们可以支持更高的电压和更高的频率，提高电路的性能、效率和可靠性。光电子器...

以SiC/GaN为代表的宽禁带半导体已逐渐在5G通信、汽车电子、快速充电等方面得到大量应用。与此同时，研究人员和相关企业仍在研究开发其他的宽带隙材料。金刚石、氮化铝和氧化镓等具有更宽的禁带宽度，被称为超宽禁带半导体，未来有可能用来制造具有更低电阻、更高工作功率、更高耐温的功率器件，因此研发热度一直不减。近来，持续有关于金刚石研发进展的消息传出，涉及大尺寸金刚石晶圆制备、金刚石材料的N 型掺杂...

SiC器件正面工艺完成后，需要用到减薄工艺 对衬底进行减薄加工，降低器件的导通电阻。尤 其对于600-1200V的中低压SiC器件，衬底电阻带 来的损耗影响了SiC器件的高效使用。同时，衬底 减薄还能降低封装体积、提升散射效率。常用的 减薄方式包括金刚石砂轮减薄、铸铁盘或树脂铁 盘研磨、CMP抛光。在这些工艺中，砂轮减薄具有 最高的去除效率和相对稳定的精度控制。然而， 由于SiC晶圆和砂轮成...

在半导体产业链中，特别是第三代半导体（宽禁带半导体）产业链中，会有衬底及外延层之分，那外延层的存在有何意义？和衬底的区别是什么呢？衬底（substrate）是由半导体单晶材料制造而成的晶圆片，衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件，也可以进行外延工艺加工生产外延片。衬底是晶圆（把晶圆切开，就可以得到一个个的die，再封装好就成为传说中的芯片）最底下（其实芯片的最底部一般还会镀上一层背金，...